Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications - Topics in Applied Physics - - Libros - Springer Verlag, Singapore - 9789811512148 - 24 de marzo de 2021
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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications - Topics in Applied Physics Second Edition 2020 edition

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425 pages, 183 Illustrations, color; 130 Illustrations, black and white; XIV, 425 p. 313 illus., 183

Medios de comunicación Libros     Paperback Book   (Libro con tapa blanda y lomo encolado)
Publicado 24 de marzo de 2021
ISBN13 9789811512148
Editores Springer Verlag, Singapore
Páginas 425
Dimensiones 150 × 220 × 10 mm   ·   612 g
Editor Ishiwara, Hiroshi
Editor Okuyama, Masanori
Editor Park, Byung-Eun
Editor Sakai, Shigeki
Editor Yoon, Sung-Min

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