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The Source / Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices - Springer Theses Zhiqiang Li Softcover reprint of the original 1st ed. 2016 edition
The Source / Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices - Springer Theses
Zhiqiang Li
59 pages, 49 Illustrations, color; 3 Illustrations, black and white; XIV, 59 p. 52 illus., 49 illus.
| Medios de comunicación | Libros Paperback Book (Libro con tapa blanda y lomo encolado) |
| Publicado | 7 de junio de 2018 |
| ISBN13 | 9783662570265 |
| Editores | Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm |
| Páginas | 59 |
| Dimensiones | 150 × 220 × 10 mm · 151 g |
| Lengua | Alemán |
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