Doping in III-V Semiconductors - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering - Schubert, E. F. (AT&T Bell Laboratories, New Jersey) - Libros - Cambridge University Press - 9780521419192 - 30 de septiembre de 1993
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Schubert, E. F. (AT&T Bell Laboratories, New Jersey)
Doping in III-V Semiconductors - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering

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This is the first book to describe thoroughly the many facets of doping in compound semiconductors. Equal emphasis is given to the fundamental materials physics and to the technological aspects of doping. The various techniques and the key characteristics of dopants that are employed in III-V semiconductors are presented.

632 pages, 240 b/w illus. 1 table

Medios de comunicación Libros     Hardcover Book   (Libro con lomo y cubierta duros)
Publicado 30 de septiembre de 1993
ISBN13 9780521419192
Editores Cambridge University Press
Páginas 632
Dimensiones 157 × 234 × 36 mm   ·   1,02 kg
Lengua Inglés  
Editor de series Ahmad, Haroon
Editor de series Broers, Alec
Editor de series Pepper, Michael

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