Doping in III-V Semiconductors - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering - Schubert, E. F. (AT&T Bell Laboratories, New Jersey) - Libros - Cambridge University Press - 9780521017848 - 22 de agosto de 2005
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Schubert, E. F. (AT&T Bell Laboratories, New Jersey)
Doping in III-V Semiconductors - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering

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This is the first book to describe thoroughly the many facets of doping in compound semiconductors. Equal emphasis is given to the fundamental materials physics and to the technological aspects of doping. The various techniques and the key characteristics of dopants that are employed in III–V semiconductors are presented.

632 pages, 240 b/w illus. 1 table

Medios de comunicación Libros     Paperback Book   (Libro con tapa blanda y lomo encolado)
Publicado 22 de agosto de 2005
ISBN13 9780521017848
Editores Cambridge University Press
Páginas 632
Dimensiones 229 × 151 × 40 mm   ·   936 g
Lengua Inglés  
Editor de series Ahmad, Haroon
Editor de series Broers, Alec
Editor de series Pepper, Michael

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