Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Computational Microelectronics - Viktor Sverdlov - Libros - Springer Verlag GmbH - 9783709103814 - 24 de noviembre de 2010
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Viktor Sverdlov
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Computational Microelectronics 2011 edition

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Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

268 pages, 101 black & white illustrations, 50 black & white tables, biography

Medios de comunicación Libros     Hardcover Book   (Libro con lomo y cubierta duros)
Publicado 24 de noviembre de 2010
ISBN13 9783709103814
Editores Springer Verlag GmbH
Páginas 252
Dimensiones 170 × 244 × 15 mm   ·   635 g
Lengua Francés  

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