GaP Heteroepitaxy on Si (100): Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambients - Springer Theses - Henning Doescher - Libros - Springer International Publishing AG - 9783319379555 - 3 de septiembre de 2016
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Henning Doescher
GaP Heteroepitaxy on Si (100): Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambients - Springer Theses Softcover reprint of the original 1st ed. 2013 edition

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Epitaxial integration of III-V semiconductors on silicon substrates has been desired over decades for high application potential in microelectronics, photovoltaics, and beyond. The hydrogen-based process ambient enables the preparation of anomalous double-layer step structures on Si(100), highly beneficial for subsequent III-V integration.

157 pages, 47 black & white illustrations, 33 colour illustrations, biography

Medios de comunicación Libros     Paperback Book   (Libro con tapa blanda y lomo encolado)
Publicado 3 de septiembre de 2016
ISBN13 9783319379555
Editores Springer International Publishing AG
Páginas 143
Dimensiones 155 × 235 × 9 mm   ·   231 g
Lengua Alemán  

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