GaP Heteroepitaxy on Si (100): Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambients - Springer Theses - Henning Doescher - Libros - Springer International Publishing AG - 9783319028798 - 11 de diciembre de 2013
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Henning Doescher
GaP Heteroepitaxy on Si (100): Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambients - Springer Theses 2013 edition

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Epitaxial integration of III-V semiconductors on silicon substrates has been desired over decades for high application potential in microelectronics, photovoltaics, and beyond. The hydrogen-based process ambient enables the preparation of anomalous double-layer step structures on Si(100), highly beneficial for subsequent III-V integration.

157 pages, 47 black & white illustrations, 33 colour illustrations, biography

Medios de comunicación Libros     Hardcover Book   (Libro con lomo y cubierta duros)
Publicado 11 de diciembre de 2013
ISBN13 9783319028798
Editores Springer International Publishing AG
Páginas 143
Dimensiones 155 × 235 × 13 mm   ·   362 g
Lengua Inglés  

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