Recomienda este artículo a tus amigos:
Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices Hao, Yue (Xidian University, Xi'an, PR of China) 1.º edición
Precio
$ 262,49
sin IVA
Pedido desde almacén remoto
Entrega prevista 22 de jun. - 9 de jul.
Nuestros clientes opinan:
Añadir a tu lista de deseos de iMusic
También disponible como:
Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
Hao, Yue (Xidian University, Xi'an, PR of China)
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs).
388 pages, 469 black & white illustrations, 30 black & white tables
| Medios de comunicación | Libros Hardcover Book (Libro con lomo y cubierta duros) |
| Publicado | 3 de octubre de 2016 |
| ISBN13 | 9781498745123 |
| Editores | Taylor & Francis Inc |
| Páginas | 392 |
| Dimensiones | 262 × 184 × 22 mm · 894 g |
| Lengua | Inglés |
