Recomienda este artículo a tus amigos:
Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change Hai Li 1.º edición
Precio
$ 397,49
sin IVA
Pedido desde almacén remoto
Entrega prevista 18 de ago. - 4 de sep.
Recibe notificaciones sobre nuevos lanzamientos de Hai Li
Nuestros clientes opinan:
Añadir a tu lista de deseos de iMusic
También disponible como:
Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change
Hai Li
The manufacture of flash memory, which is the dominant nonvolatile memory technology, is facing technical barriers. So much so, that other technologies have been proposed as alternatives. This book introduces three promising candidates: phase-change memory, magnetic random access memory, and resistive random access memory.
203 pages, 175 black & white illustrations, 10 black & white tables
| Medios de comunicación | Libros Hardcover Book (Libro con lomo y cubierta duros) |
| Publicado | 19 de diciembre de 2011 |
| ISBN13 | 9781439807453 |
| Editores | Taylor & Francis Inc |
| Páginas | 208 |
| Dimensiones | 166 × 242 × 18 mm · 488 g |
| Lengua | Inglés |
