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Introduction to Magnetic Random-Access Memory Bernard Dieny 1.º edición
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Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Bernard Dieny
Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and durability.
250 pages
| Medios de comunicación | Libros Hardcover Book (Libro con lomo y cubierta duros) |
| Publicado | 2 de diciembre de 2016 |
| Fecha de lanzamiento original | 2017 |
| ISBN13 | 9781119009740 |
| Editores | John Wiley & Sons Inc |
| Páginas | 272 |
| Dimensiones | 242 × 162 × 19 mm · 544 g |
| Lengua | Inglés |
