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Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices Yue Hao 1.º edición
Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
Yue Hao
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs).
392 pages
| Medios de comunicación | Libros Paperback Book (Libro con tapa blanda y lomo encolado) |
| Publicado | 30 de junio de 2020 |
| ISBN13 | 9780367574369 |
| Editores | Taylor & Francis Ltd |
| Páginas | 392 |
| Dimensiones | 150 × 220 × 10 mm · 771 g |
| Lengua | Inglés |